عنوان پایان نامه: طراحی و شبیه سازی لایه ی انتقال دهنده حفره در سلول های خورشیدی تاندم مبتنی بر پروسکایت
ارائهکننده: اصغر بقائی استاد راهنما: دکتر داود فتحی استاد ناظر داخلی : دکتر وحید احمدی استاد ناظر خارجی : دکتر فرهاد برومند (دانشگاه خواجه نصیر الدین طوسی) استاد مشاور : دکتر مهدی اسکندری تاریخ: 1402/03/29 ساعت: 9 تا 11 مکان: کلاس پ 3
چکیده: در سال های اخیر سلول های خورشیدی پروسکایتی (PSCs) آلی – غیرآلی به دلیل ویژگی های خاص و منحصربه فرد خود توجه ویژه ای از محققان را به خود جذب کرده اند. یکی از ترکیب هایی که در سال های اخیر توانسته است عملکرد منحصربفردی را از خود نشان دهد ، آنتیمونیسلناید (Sb2Se3) است که به عنوان لایه فعال در بسیاری از ساختارها به کار رفته است و عملکرد قابل قبولی را از خود ارائه داده است ، در این گزارش از Sb2Se3 در دو ساختار متفاوت ؛ فیلمنازک و نانومیله به عنوان لایه ی انتقال دهنده ی حفره (HTL) با لایه فعال MAPbI3 در ساختار سلول خورشیدی ITO / TiO2 / MAPbI3 / Sb2Se3 / Ag استفاده شده است که در حالت فیلم نازک با ضخامت 800 nm عملکرد (JSC =25.49 mA.cm-2 , VOC = 0.765 V , FF = 0.86 , PCE = 16.9% ) را نشان داده است و در حالت نانومیله (NRA) تاثیر شعاعهای مختلف(30nm, 50nm, 70 nm ) به همراه تغییر ارتفاع در لایه ی انتقال دهنده ی حفره بررسی شده است و نتیجه به دست آمده برای شعاع 70 nm و ارتفاع 600 nm که از نقاط کوانتومی کلوئیدی سولفید)(PbS-CQD هم برای پرکردن فضای اطراف نانومیله استفاده شده است، نتایج به صورت (JSC = 25.46 mA.cm-2 , VOC =0.955 V , FF = 0.85 , PCE = 20.88% ) به دست آمده است. همچنین با تغییر ساختار ارائه شده به فرم ساختارسلول های خورشیدی تاندم 4 ترمینال(4T-TSCs) مبتنیبر پروسکایت و استفاده از این نوع انتقال دهنده ی حفره در ساختار سلول پایینی به صورت فیلم نازک با ضخامت بهینه بهره 81/23% به دست آمده است. تمامی نتایج با روش المان محدود سه بعدی (3D-FEM) به دست آمده است.